怎样控制电阻率和少子寿命

怎样控制电阻率和少子寿命

简单地说，
可以通过控制半导体的掺杂浓度来控制半导体的电阻率；
可以通过减少晶体缺陷（如退火等）和减少重金属杂质的污染来提高半导体的少子寿命；可以通过在半导体中掺入深能级杂质来降低半导体的少子寿命。

硅片退火处理，是工艺的一个环节。是按一定的程序对硅片进行升温、降温......的过程； 为什么要进行退火？原因之一是，硅片中含有氧，氧有吸取杂质的作用。退火时可以将硅片表面附近的氧，从其表面挥发脱除，使表面附近的杂质数量减少。有利于器件的制造； 退火对电阻率和少子寿命有一定的影响：使其升高。 供参考。 另：如果事实同“问题补充”的一样，可以理解为：氧从表面脱除后，表面附近的杂质数量减少，缺陷也减少，使载流子的平均自由程增加，迁移率也增加，这样导致了电阻率的下降。