能带填充效应和带隙重整化效应有何区别

能带填充效应和带隙重整化效应有何区别

,宽带半导体中激子效应比较明 显,但当在高泵浦功率激发下,仍会在半导体中产生大量的自由载流子,这些自 由载流子会引起一个电场,从而导致激子一激子的库仑作用被屏蔽。随着激发强 度的增大,其激发的电子一空穴对密度也增大,激子的束缚能降低而易于电离, 出现相空间填充效应而向长波方向红移,即,带隙重整化效应,同时导致一系列 有趣的非线性效应。
对准费米能级,当入射光强很小时,导带和价带准费米能级都处于能隙中间, 而入射光强导致载流子的大量激发时,导带的准费米能级将进入到导带中。一般 导带因为有较小的电子有效质量而和较小的态密度,故而带填充效应比较明显, 激发电子容易将导带底部填充而使得此后激发的电子必须填充到导带中更高的 能量位置。而价带因为有较大的空穴有效质量,电子态的密度很大,所以价带准 费米能级在强激发下通常移动较小。

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