急！微电子技术专业英语翻译！

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Microelectronics Technology Specialty
微电子技术专业：养掌握大规模集成电路及其半导体器件的设计方法和制造工艺，具有从事芯片生产过程的工艺加工、设备维护、器件测量能力的高级技术应用性专门人才。
中文名
微电子技术专业
专业代码
590210
核心能力
微电子产品检测能力
修学年限
三年
一级学科
电子信息大类
目录
1 核心能力
2 课程设置
3 就业面向
4 就业面向

核心能力
微电子制造设备的维护能力，微电子产品检测能力。

课程设置
专业核心课程与主要实践环节：计算机基础、电子技术、微电子概论、半导体物理、半导体器件物理、集成电路工艺原理、集成电路CAD、电子测量技术、 电子技术实验、集

就业面向
成电路工艺实训、电子测量技术实训、集成电路CAD实训等，以及各校的主要特色课程和实践环节。

就业面向
在微电子产品制造行业，从事大规模集成电路及其半导体器件的制造，及微电子设备和产品的维护和检测等工作。

Urgent microelectronics technology

mlars的翻译基本正确，建议采纳。只是个别地方需要修改一下：“the transition region ”翻译成“势垒区（过渡区）”较好。
......反偏时，势垒区随着产生和复合几率的显著增加而展宽。......因为没有多少电子可以复合，也没有多少空穴与它复合。

由于大多数的重组目前发生在R =该屏障,为电子、孔的复合电流(Vbi-Va)/ 2。这是一半的屏障的电流(老年椎基底动脉供血不足——扩散Va)。
让我们考虑重组和代在截止能源带图中显示的是Fig.3.18.We所讨论的问题,在截止过渡区和重大的机会,扩大双方产生和重组在截止氮和磷都是小的在大部分的过渡区、重组可以被忽略,因为很少有电子重组和几个洞与重组。

此翻译请楼主审阅是否专业。
since most of the recombination current occurs near where R = Rmax,the barrier for electrons and holes for recombination current is (Vbi-Va)/2. This is half the barrier for diffusion current of （Vbi - Va).
由于复合电流大多发生在靠近R＝Rmax的地方，所以电子和空穴对复合电流的屏障就是(Vbi-Va)/2. 这是扩散电流(Vbi-Va)的一半。.
Let us consider recombination and generation under reverse bias.The energy band diagram is shown in Fig.3.18.让我们来考虑一下在反偏压下的复合和发生。能带图示于图3.18.We have discussed that under reverse bias the transition region widens with the significant opportunities for both generation and recombination.我们已经讨论了，在反偏压下，过渡区随着发生和复合的明显机会而展宽。Under reverse bias n and p are both small in most of the transition region,the recombination can be ignored,since there are few electrons to recombine and few holes with which to recombine. 在反偏压下，n和p在大多数过渡区都很小，复合就可以忽略，因为几乎不存在电子来复合，也几乎没有空穴与它们来复合。

由于多数复合电流发生在 R = Rmax 处，因此复合电流的电子和空穴的势垒为 (Vbi-Va)/2。这是扩散电流的势垒 (Vbi - Va) 的一半。
我们来看看反向偏置下（电流）的复合和产生。能带图如图3.18所示。我们已经探讨过，反向偏置时，跳变区随着（电流的）产生和复合机会大幅增加而变宽。反向偏置时，n 和 p 在跳变区的大部分区域内都很小，电流复合可以忽略，因为没有多少电子复合，也没有多少空穴可协助复合。