正向偏置的时候，在pn结处，是p处的电位高还是n处的电位高
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解决时间 2021-04-07 01:00
- 提问者网友：眉目添风霜
- 2021-04-06 14:05
正向偏置的时候，在pn结处，是p处的电位高还是n处的电位高
最佳答案
- 五星知识达人网友：鱼忧
- 2021-04-06 14:31
PN结在没有外加电压时阻挡层的内建电位差VD，N边界高于P边界。正偏时外加电压U与内建电位差VD的方向相反，为VD—U，相应的阻挡层宽度减少、阻挡层内的电场减弱。
但VD—U>0。
（参考资料《电子线路》，谢嘉成奎主编，高等教育出版社，）追问那当u增大的时候，vd也增大吧，这时候vd主要表现为p区扩散到n区的空穴？追答阻挡层的内建电位差VD=（Kt／q）×[Ln（pp0／pn0）]
K—玻耳兹曼常数，
t—温度
q—电子电荷量
pp0—多子空穴浓度
pn0—少子空穴浓度
可见VD与U无关。来自：求助得到的回答
但VD—U>0。
（参考资料《电子线路》，谢嘉成奎主编，高等教育出版社，）追问那当u增大的时候，vd也增大吧，这时候vd主要表现为p区扩散到n区的空穴？追答阻挡层的内建电位差VD=（Kt／q）×[Ln（pp0／pn0）]
K—玻耳兹曼常数，
t—温度
q—电子电荷量
pp0—多子空穴浓度
pn0—少子空穴浓度
可见VD与U无关。来自：求助得到的回答
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