pspice 中创建IGBT模型后，耐压不正确

我按照DATASHEET上的资料建了个PSPICE模型，在整个模型建立中，有以下两个参数设置不正确：其中有一个Qgc参数不知道，就采用了系统中默认的。还有一个问题是设置下降时间Tf时，DATASHEET上的资料是55nS，但软件必须设置为200nS，否则提取参数会不成功。当我成功提取参数后发现，该模型的耐压值不正确，我本来设计的是1200V，150A的管子，漏电流才几百微安，但我仿真该模型的静态参数发现，耐压值才800V，1200V时，漏电流为几百兆安，我找不出问题出现在哪里？请问是与Qgc及Tf的设置有关吗？
请高手帮忙解答！！感激不尽！！！！

Pspice里面的原器件模型其实并不准确，缺少很多参数，建议你直接在安森美、仙童和irf这些公司的网站下面下载对应器件的最新模型文件。你下载完试试就知道了，模型文件往往比Pspice里面自带的大1倍。

你好！ 官方网站下载相关模型或找厂商提供*.lib文件 打字不易，采纳哦！