欠压保护电路!求解释…………

欠压保护电路!求解释…………

线路错误比较多
1,目的是欠压保护,想必是Q4输出10V电压.作为一个供电源,然当电压低于某一值的时候
而关闭Q4使之没有输出,此线路采用的N沟道增强型MOSFET,正常要VGS要达到2~4V多的时候
才能输出,如果源极输出10V,那么栅极必须要14V左右的电压,哪里来?你VCC只有10V
所以在供电开关使用的时候要选择用PMOSFET（源极接Vcc, 漏极接电源输出,其他不变）
2,如果是PMOSFET,则栅极地电位才会输出,这样反推回去.要想Q4截止,就必须Q3截止,Q2则需要导通,Q1截止,Q1要截止D2就不能导通.
3,Q2的集电极应该是连接到Q2的基极（图纸有错误）
4,所以当电压低于D2的击穿电压,Q1截止,Q2导通,Q3截止,Q4栅极通过R7与源极电位相等,故而截止关闭输出电压,反之导通
再问： 图纸的问题是我的问题，不小心没注意到！不好意思啊！你分析的不错，我也是这么觉得的，但Q2的基极确实接在Q1的基极上的…………！这就是我不明白的原因！谢谢你的回答…………
再答： 仔细看看实物测量辨识，这是我唯一能怀疑的地方
再问： 我想你说的是对的…………！