笔记本中六只引脚的芯片工作原理？

排除集成二极管 三极管

好象是叫线型稳压块 T40机器中电池充电电路中有个 坏了后电池不工作 插电源就可以工作

后来看下很多电路中有次形状的6脚块 请问它都叫线形稳压块吗 ？

工作原理是什么？

应该是“升压充电泵稳压器”集成块。

为了减轻重量及缩小体积，尽量减少电池的数量，当电路工作电压高于电池电压时，采用升压式充电泵或升压式DC/DC转换稳压器。升压充电泵稳压器内部的电路包括振荡器、误差放大器、逻辑控制电路、电子开关等。外部电路由分压器、电压比较器、基准电压源组成。另外，还有监测升压输出的电路，这部分由分压器和电压比较器组成，这部分的输出控制振荡电路的工作，即控制升压式充电泵的工作或停止。

如果确认是这个芯片坏了，看一哈片子上的型号，买一个换上就OK啦。

不过电压比较器、升压监测电路、基准电压源、分压器哪个有问题都会导致插上电池不工作，需仔细检察确认后再换芯片，有时可能就是某一个小电阻出了问题。

前面的介绍都相对比较简单、抽象。下面我们会结合实际的RAM芯片进行介绍。在谈到这个问题的时候，我们会涉及到一个比较重要的技术：封装。你应该听说过诸如30线SIMMS、72线SIMMS和168线DIMMS或者RIMMs其中的一个或者几个术语吧。如果要解释这些术语之间的不同，就应该了解RAM的封装技术。

　　SRAM芯片：

　　早期的SRAM芯片采用了20线双列直插（DIP：Dual Inline Package）封装技术，它们之所以具有这么多的针脚，是因为它们必须：每个地址信号都需要一根信号线；一根数据输入线和一根数据输出线部分控制线(Write Enable, Chip Select)；线和电源线

　　上图显示的是SRAM芯片，但是并不是下面示意图中的SRAM芯片，下面的是一个16K x 1-bit SRAM芯片的针脚功能示意图：

　　A0-A13是地址输入信号引脚，CS是芯片选择引脚。在一个实际的系统中，一定具有很多片SRAM芯片，所以需要选择究竟从那一片SRAM芯片中写入或者读取数据。WE是写入启用引脚（如上表，在CS、WE上面的线我没有写入，表示低电平有效或者是逻辑0时有效）：当SRAM得到一个地址之后，它需要知道进行什么操作，究竟是写入还是读取，WE就是告诉SRAM要写入数据。Vcc是供电引脚。Din是数据输入引脚。Dout是数据输出引脚。GND是接地引脚 　　Output：

　　Enable（OE）：有的SRAM芯片中也有这个引脚，但是上面的图中并没有。这个引脚同WE引脚的功能是相对的，它是让SRAM知道要进行读取操作而不是写入操作。从Dout引脚读取1bit数据需要以下的步骤： SRAM读取操作：1)通过地址总线把要读取的bit的地址传送到相应的读取地址引脚(这个时候/WE引脚应该没有激活，所以SRAM知道它不应该执行写入操作)。2)激活/CS选择该SRAM芯片。3)激活/OE引脚让SRAM知道是读取操作。第三步之后，要读取的数据就会从DOut引脚传输到数据总线。怎么过程非常的简单吧？同样，写入1bit数据的过程也是非常的简单的。SRAM写入操作：1)通过地址总线确定要写入信息的位置(确定/OE引脚没有被激活）。2)通过数据总线将要写入的数据传输到Dout引脚。3)激活/CS引脚选择SRAM芯片。4)激活/WE引脚通知SRAM知道要尽心写入操作。

　　经过上面的四个步骤之后，需要写入的数据就已经放在了需要写入的地方。

DRAM芯片介绍

　　现在我们知道了在一个简单的SRAM芯片中进行读写操作的步骤了了，然后我们来了解一下普通的DRAM芯片的工作情况。DRAM相对于SRAM来说更加复杂，因为在DRAM存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新，这也是它们之间最大的不同。下面让我们看看DRAM芯片的针脚的作用。

　　最早、最简单也是最重要的一款DRAM芯片是Intel在1979年发布的2188，这款芯片是16Kx1 DRAM 18线DIP封装。“16K x 1”的部分意思告诉我们这款芯片可以存储16384个bit数据，在同一个时期可以同时进行1bit的读取或者写入操作。(很抱歉找不到这款芯片的实物图片，只好自己简单的画了一个示意图)。

　　上面的示意图可以看出，DRAM和SRAM之间有着明显的不同。首先你会看到地址引脚从14根变为7根，那么这颗16K DRAM是如何完成同16K SRAM一样的工作的呢？答案很简单，DRAM通过DRAM接口把地址一分为二，然后利用两个连续的时钟周期传输地址数据。这样就达到了使用一半的针脚实现同SGRAM同样的功能的目的，这种技术被称为多路技术（multiplexing）。

　　那么为什么好减少地址引脚呢？这样做有什么好处呢？前面我们曾经介绍过，存储1bit的数据SRAM需要4-6个晶体管但是DRAM仅仅需要1个晶体管，那么这样同样容量的SRAM的体积比DRAM大至少4倍。这样就意味着你没有足够空间安放同样数量的引脚（因为针脚并没有因此减少4倍）。当然为了安装同样数量的针脚，也可以把芯片的体积加大，但是这样就提高芯片的生产成本和功耗，所以减少针脚数目也是必要的，对于现在的大容量DRAM芯片，多路寻址技术已经是必不可少的了。 　　当然多路寻址技术也使得读写的过程更加复杂了，这样在设计的时候不仅仅DRAM芯片更加复杂了，DRAM接口也要更加复杂，在我们介绍DRAM读写过程之前，请大家看一张DRAM芯片内部结构示意图：

　　在上面的示意图中，你可以看到在DRAM结构中相对于SRAM多了两个部分：由/RAS (Row Address Strobe：行地址脉冲选通器)引脚控制的行地址门闩线路（Row Address Latch）和由/CAS(Column Address Strobe：列地址脉冲选通器)引脚控制的列地址门闩线路（Column Address Latch）。DRAM读取过程：1)通过地址总线将行地址传输到地址引脚。2)/RAS引脚被激活，这样行地址被传送到行地址门闩线路中。3)行地址解码器根据接收到的数据选择相应的行。

　　4)/WE引脚被确定不被激活，所以DRAM知道它不会进行写入操作。5)列地址通过地址总线传输到地址引脚。6)/CAS引脚被激活，这样列地址被传送到行地址门闩线路中。7)/CAS引脚同样还具有/OE引脚的功能，所以这个时候Dout引脚知道需要向外输出数据。

　　8)/RAS和/CAS都不被激活，这样就可以进行下一个周期的数据操作了。其实DRAM的写入的过程和读取过程是基本一样的，所以如果你真的理解了上面的过程就能知道写入过程了，所以这里我就不赘述了。（只要把第4步改为/WE引脚被激活就可以了）。