看图第十六题,要求有解析啊

看图第十六题,要求有解析啊

　　A．SiCl4的是分子晶体,SiC是原子晶体,熔点原子晶体＞分子晶体,所以SiCl4的熔点比SiC熔点低,故A正确； B．晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个Si原子通过12Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ,故B错误；C．相对分子质量越大,范德华力越大,熔沸点越高,故C正确；D．晶体硅中1个Si原子与周围的4个C形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-C键,每个Si-C键为1个Si原子通过12Si-C键,所以1mol晶体硅中含有Si-C键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为347kJ/mol×2mol=694kJ,故D正确．故选B．======以下答案可供参考======供参考答案1:说真的这个题一般基础知识不扎实的很难做对，因为他所给的题意根本就是个幌子，让我来答我也答不对。先说A和C选项，根本和题意就搭不上，完全要靠自己基础知识，物理变化涉及不到化学键的拆分，物理性质与分子大小，分子结构有关。至于为什么是对的楼上有兄弟已经解释过了（对不对我也不知道 哈哈）再说D选项，看起来似乎和题意有关，可是表格里根本没有C—C的键能，要判断是否正确还是要看你化学键这方面基础知识储备如何。至于B选项，错在概念的混淆。晶体硅就是单一的Si原子组成的，里面不存在Si—Si化学键。楼上所解释的单晶硅结构，硅与硅之间的力，是原子间的作用力，而非化学键。

这个问题我还想问问老师呢