单片机产生PWM波,控制开关管??
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解决时间 2021-03-30 14:31
- 提问者网友:雪舞兮
- 2021-03-30 04:55
单片机产生PWM波,控制开关管??
最佳答案
- 五星知识达人网友:白昼之月
- 2021-03-30 05:35
首先纠正一下你的问题,不是单片机产生的PWM波电压太低难以驱动半导体制冷片,而是驱动你的器件需要一定的功率,也就是所谓的带载能力,单片机IO输出能力一般为3.3V或5V,输出电流最大为几十个mA,远远达不到制冷功率需求。你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路,是一种降压型开关电源。下面回答你的问题:
单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V,而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加MOS管驱动电路。
鉴于你选择的电路结构,不宜使用NMOS或者IGBT,应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS(见附图)
该电路理论上可以实现0-15V的电压调节
追问这个电路里,单片机的PWM波接到三极管上,也是用到三极管的开关特性吧???为什么不直接用三极管替代图中的MOS管呢??
这个时候 三极管的通断和mos管的通断频率一样了吧??追答是的,三极管也是作为开关管使用,这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能,保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极,导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行,MOS,三极管,IGBT各有各的特性,在大功率场合里,MOS和IGBT多一些,至于具体有什么区别,还是参考电力电子教材吧,肯定比我说的明白
单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V,而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受,那就是可以的,否则就需要增加MOS管驱动电路。
鉴于你选择的电路结构,不宜使用NMOS或者IGBT,应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS(见附图)
该电路理论上可以实现0-15V的电压调节
追问这个电路里,单片机的PWM波接到三极管上,也是用到三极管的开关特性吧???为什么不直接用三极管替代图中的MOS管呢??
这个时候 三极管的通断和mos管的通断频率一样了吧??追答是的,三极管也是作为开关管使用,这个三极管只是为了做一个驱动MOS管的功能,保证关闭时MOS管的门极电压高于漏极,导通时门极电压低于漏极。直接用三极管不是不行,MOS,三极管,IGBT各有各的特性,在大功率场合里,MOS和IGBT多一些,至于具体有什么区别,还是参考电力电子教材吧,肯定比我说的明白
全部回答
- 1楼网友:思契十里
- 2021-03-30 06:25
问题1:一般用光电耦合的都是出于高低压之间的绝缘和安全考虑。你的貌似都是低压,没有必要用光耦;
问题2:用MOS还是IGBT得看你的工作电流和开关频率。一般电流小,频率高用MOS, 电流大,开关频率低用IGBT;
问题3:这个是典型的Buck电路,完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率,占空比,以及电感(主要是饱和)。还有,开关管的压降不能太大
问题4:看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说,是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
问题2:用MOS还是IGBT得看你的工作电流和开关频率。一般电流小,频率高用MOS, 电流大,开关频率低用IGBT;
问题3:这个是典型的Buck电路,完全可以实现你说的这些降压变换。前提是合适的开关频率,占空比,以及电感(主要是饱和)。还有,开关管的压降不能太大
问题4:看你IGBT或者MOS的开关速度。一般来说,是的。 因为单片机的PWM信号无法及时的开关 开关管(主要是因为开关管的输入电容充电效应)。
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