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单片开关电源集成电路要如何设计?

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解决时间 2021-10-11 04:50
单片开关电源集成电路要如何设计?
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一是高频化.为了实现电源高功率密度,必须提高PWM变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量.我

二是应用压电变压器.应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度.压电变压器利用压电陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量,其等效电路如同一个串并联谐振电路,是功率变换领域的研究热点之一.

三是采用新型电容器.为了减小电力电子设备的体积和重量,须设法改进电容器的性能,提高能量密度,并研究开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器,要求电容量大、等效串联电阻(ESR)小、体积小等.
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TOP221Y是宽电压范围的单片开关电源模块,可通过外接少量外围元件组成功率在15W以下的高效率电源。为提高输出电压的稳压精度,电压采样电路使用了高精度可调稳压管TL431,并通过光电耦合将负反馈电压回馈至TOP221Y的控制端。通过合理的印刷板设计,可使电路工作稳定可靠,电磁辐射降至最小,也可有效地抗外部电磁干扰,具有较好的电磁兼容性能。输出直流电路采用了LC滤波电路,有效消除次级电路中的高频干扰信号。
希望我的回答可以帮到您,望采纳。
首先你要知道你的设计需求,就是硬性指标,输入电压范围,输出电压,电流,效率,然后你就可以考虑拓扑结构,打个比方一般LED,反激BUCK就可以了,假定你选择好芯片,和开关频率,那么需要计算的就是磁芯计算,磁芯计算就是算初级电感量,匝数,磁芯截面积。这些你刚开始不熟悉没关系, 按照公式计算,确定MOS,要考虑到耐压,耐压是MOS关闭时缘边电感产生的反向电动势+漏感电动势(一般取60V)+输出电压此时反射到缘边的电压==就是你的MOS关断时要承受的电压,在放宽点余量,就OK了,然后输入电容,输出电容,须留二极管,这些你可以随便百度都看到怎么选,你还要给输入加上保险丝,EMI的滤波器,同时很多细节小问题慢慢加,比如防止开关的冲击对整流管的伤害,可以给整流管并四个电容,RCD的吸收,副边的你的环路控制。
希望我的回答可以帮助到您。
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