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同样是第四代,标压的i5和低电压的i7那个更好,差在那里

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解决时间 2021-02-18 04:07
同样是第四代,标压的i5和低电压的i7那个更好,差在那里
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标压i5的性能一般更好,但是发热要更大(TDP,标压i5是37W~47W(睿频),而双核的低压i7可以控制在15W,配备Iris 5100 (GT3)核显的i7也超不过28W)。
在如此低的功耗下,尽可能接近标压同双核四线程i5的水准,这就是低压i7的厉害之处!设备可以更轻薄,续航可以更长。要想达到这一目标,i7的芯片制造、筛选是要比i5更胜一筹的,更优秀的晶片才得以胜任。
另一个就是核显配备不尽相同。这个具体处理器具体分析,看具体型号的。
如果感兴趣,建议去维基百科看这个词条:
Haswell (microarchitecture)

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低电压i7更好,主频2.2,四核,标电压i5是主频2.5,双核,低电压版的平时会自动省电,通常只启用2个核心,只有不够用再开启另外2个核心,这样平时比i5标电压省电,而需要性能又能上去

标压i5的性能一般更好,但是发热要更大(TDP,标压i5是37W~47W(睿频),而双核的低压i7可以控制在15W,配备Iris 5100 (GT3)核显的i7也超不过28W)。


在如此低的功耗下,尽可能接近标压同双核四线程i5的水准,这就是低压i7的厉害之处!设备可以更轻薄,续航可以更长。要想达到这一目标,i7的芯片制造、筛选是要比i5更胜一筹的,更优秀的晶片才得以胜任。


另一个就是核显配备不尽相同。这个具体处理器具体分析,看具体型号的。


如果感兴趣,建议去维基百科看这个词条:
Haswell (microarchitecture)
注意去英文维基,有详细的参数列表,如:



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