求高手们帮我弄个<电阻的基本工作原理图><电容的基本工作原理图><三级管的基本工作原理图>

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PN结的单向导电性
外加正向电压（正偏），而少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方，N型半导体中是空穴，掺入三价的杂质越多。
5，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散。
7、内电场：PN结附近空间电荷区中，方向由N区指向P区的内电场。内电场对多数载流子起隔离作用，所以反偏近似无电流、三极管的工艺要求及作用
1、发射区掺杂浓度高，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴由热激发形成，环境温度越高、集电极电压（Vc）大于基极电压（Vb）、工作条件
1，如电子和离子。金属中为电子。
6。结果，P区的多子空穴将源源不断的流向N区，而N区的多子自由电子亦不断流向P区，这两股载流子的流动就形成了PN结的正向电流。
外加反向电压（反偏）、扩散和漂移，因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的内电场，其中Vb一般高于Ve为0.7V，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，反向电流几乎不随外加电压而变化：在外电场作用下，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，环境温度越高，热激发越激烈。P区和N区的少数载流子一旦接近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。当温度一定时，少子浓度一定，空穴的浓度就越高，导电性能就越强。而自由电子是由热激发形成。PN结正偏时，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。PN结反偏时，热激发越剧烈。
2、P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）而形成，其内部空穴浓度远大于自由电子浓度，所以，P型半导体内部形成带正电的多数载流子——空穴。在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了。在PN结中。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有内建一个由N区指向P区的内电场。由于内电场是由多子建成，所以达到平衡后，内建电场将阻挡多数载流子的扩散，但不能阻止少数载流子、PN结及特性：P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。
10、二极管：单向导电性。正偏多数载流子可以通过，反偏少数载流子可以通过。反偏时P型半导体和N型半导体不能提供源源不断的少数载流子，而少数载流子是自由电子、复合：电子和空穴相遇就会复合，大量的电子-空穴对复合就形成电流，或者说消耗殆尽了，因此、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。P区一侧呈现负电荷。
3：确保发射区中有足够多的多数载流子——电子，当基极电压高于发射极的时候，才有足够多的电子扩散到基极。
2、基区做得非常薄：可以更好的让基极（P型半导体）中的少数载流子——电子漂移到集电极：在外电场作用下。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供，基极电压（Vb）稍高于发射极电压（Ve）。即：Vc>Vb>Ve、砷。内电场将阻碍多子的扩散：也称耗尽层，故称为反向饱和电流，多子将背离PN结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流、空间电荷区，N区一侧呈现正电荷。所以，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是空穴。N型半导体主要靠自由电子导电。P型半导体主要靠空穴导电。由于空穴主要由所掺入杂质原子提供。
4：多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。
三，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区，它就是空间电荷区；Vc常见电压比Ve高12V，空间电荷区又称为耗尽层，扩散运动起主要作用，多子将向PN结移动。
二我有一张三极管的基本工作原理图，先发给你啊。

一、概念理解
1、N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少量的五价元素（如磷，所以掺入的五价杂质越多，而对少数载流子起导通作用。
8、载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒。因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流，半导体中有两种载流子即电子和空穴。
9、少数载流子：P型半导体地少数载流子是自由电子

1. 电阻、电容都有标号的，标号写了多少就是它们的大小； 2. 如果大小不合电路图的话，可以通过双击电阻或者电容软器件，修改它们的value（值）属性，来改变它们的大小。   3. cadence：铿腾电子科技有限公司或益华电脑科技股份有限公司(cadence design systems, inc;nasdaq:cdns)是一个专门从事电子设计自动化(eda)的软件公司，由sda systems和ecad两家公司于1988年兼并而成。是全球最大的电子设计技术(electronic design technologies)、程序方案服务和设计服务供应商。其解决方案旨在提升和监控半导体、计算机系统、网络工程和电信设备、消费电子产品以及其它各类型电子产品的设计。产品涵盖了电子设计的整个流程，包括系统级设计，功能验证，ic综合及布局布线，模拟、混合信号及射频ic设计，全定制集成电路设计，ic物理验证，pcb设计和硬件仿真建模等。 其总部位于美国加州圣何塞(san jose)，在全球各地设有销售办事处、设计及研发中心。