为什么和硅相比，锗二极管受温度影响更大，和死区电压又有什么关系。
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解决时间 2021-03-27 08:09
- 提问者网友：你挡着我发光了
- 2021-03-26 17:54
为什么和硅相比，锗二极管受温度影响更大，和死区电压又有什么关系。
最佳答案
- 五星知识达人网友：长青诗
- 2021-03-26 18:59
温度影响和死区电压没关系，这两者都跟硅锗材料有关，具体是材料中每升高1摄氏度电子的运动剧烈程度
全部回答
- 1楼网友：想偏头吻你
- 2021-03-26 20:36
一种现象的外在表现都有内在机理。
锗二极管的温度性能和死区电压之间
其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差。
锗二极管的温度性能和死区电压之间
其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差。
- 2楼网友：西风乍起
- 2021-03-26 20:14
因为锗的温度系数大呀！
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