晶格能的主要影响因素是什么？

晶格能的主要影响因素是什么？

影响晶格能大小的因素主要是离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型等。
离子半径
　　例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低
离子电荷
　　高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能，如UTiN>UMgO>UNaCl。
离子的电子层构型
　　Cu+和Na+半径相近、离子电荷相同，但Cu+是18电子构型，对阴离子会产生极化作用，因此UCu2S在比较晶格能时，先看半径还是电荷量？谁占主导地位？追答我先看离子电荷的追问库伦定律得kq1乘q2除以r平方，半径的微小变化会引起巨变，而电荷变化只会引起几倍的变化，我觉得是半径主导，你认为我的分析哪里出错了？追答高中可以用类似库伦定律的方法判断比较晶格能相对大小，但不能用于定量计算的（计算方法很复杂的）。
例：NaCl核间距为282pm，晶格能是786kJ/mol；NaBr核间距为298pm，晶格能是747kJ/mol，MgO核间距为210pm，晶格能是3791kJ/mol。所以我先看离子电荷。

我想，除了楼上所说的三点，即半径、点和、电子构型以外，我还想补充一些。首先这三个要点并不是独立存在的。比如对于相同电子层数的阳离子（这里先讨论最外层满电子的离子吧，举个例子而已），显然电荷数越大离子半径越小，然后进而影响晶体的构型，最终影响晶格能。而作为判定依据显然离子电荷比半径的数据更为直观，所以做判断是先考虑离子电荷的因素。不过这仅仅是一个判断技巧，而不能就此说明在晶格能的判定中哪个因素是主导的。