什么是snap back现象

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解决时间 2021-03-05 03:12

提问者网友：蓝琪梦莎
2021-03-04 07:27

什么是snap back现象

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五星知识达人网友：不如潦草
2021-03-04 07:47

在饱和区域电压上升的速度比在线性区域的时候要快，当电场达到了碰撞电离阈值时，空穴就产生了。空穴电流从可以忽略不计到足够大，并且占据总电流一定份额时，电压就会下降，负阻或snapback 特征就会呈现出来。加在电阻上的电压大约150kV/cm 时就会发生碰撞电离，也就是说2um 长的电阻最大承受电压约为30V。引起snapback的碰撞电离由NB来决定(即背景或衬底掺杂浓度)，它会影响引发电阻snapback的电压值。当然snapback也可能是在饱和区域时由载流子发热引起的。

现在，假设nwell 方块电阻RSH = 1K ohms/sq (电导率)，通过公式，其中电子电荷1.602E-19c, 室温低杂质硅电子迁移率约为33750px^2/sv, 空穴迁移率约为11500px^2/sv，由此得出电子浓度约为4.624E+18/cm^3，该值介于1E+10与1E+20之间，在逐步增加电压时，会出现饱和状态，并呈现如图1的特征。假设硅室温下本征载流子浓度约为2E+10/cm^3，我们还可以得出空穴浓度约为0.865E+2/cm^3。

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1楼网友：等灯
2021-03-04 08:18

spare button to be attached in a small snap lock plastic bag-- bulletted into the back main label

备用纽扣附于一个小的塑料袋内---放入主商标的背面

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