有关二极管的耗尽层。

我的想法是：“多子的扩散能力越强的话，就会有越多的多子扩散到另一边，就会有越多的电子和空穴结合 不再是载流子，耗尽层的宽度就会越大。”但正确的应该是扩散能力越强，耗尽层越窄。我错在哪里呢？请问正确的解释是什么样的？谢谢~

极间电容的也就是耗尽层的电子空穴运动方向和扩散运动是相反的，这点你漏掉了

你首先要明白，二极管的内电场是自己产生的，就是二级管造好就存在了，方向是由ｎ指向ｐ。形成的原因很简单，就是通过扩散，ｎ极的电子跑到ｐ去了，ｐ的空穴跑到ｎ去了，由于是自由扩散，电子和空穴都跑不远就停止了（相互吸引）。在ｎｐ的中间形成一个区域，叫ｐｎ结。ｐｎ结的本质是个电容，这个电容叫势磊电容，这个电容很有用，因为它可以随电压变化而改变容量的大小，这里就不多说了。 电子自然带负电荷，空穴带正电荷，所以这个电场方向是由正电荷指向负电荷，也就是由ｎ指向ｐ了。这个扩散过程很短，在制作二极管的瞬间就完成了，只需用几个ns。 当你外加电场时，就是你接到直流电压两端时，很明显，如果你的方向时ｎ接电源正极，ｐ接负极，那么，内部电场是被加强了，两方会有更多的电荷被吸引到对方去了，这时候由电子和空穴组成的阻挡层就会变厚，厚到外加电场的电荷都不能通过，整个电路就不会有电流通过，这叫断路，这时候内外电场的强度相等，方向相反。电子线路中这种状态叫反偏状态。 当你ｐ接电源正极，ｎ接电源负极是，外加电场和内电场相反，ｎ极会把自己的电子吸引回去，ｐ极也会把自己的空穴吸引回去，那么，阻挡层就变薄了，如果外电场电压够大，阻挡层就会消失，那么，电荷就可以在这个区域通行无阻，整个电路就能通过电流。一般来讲，对硅二极管，这个电压是０.７ｖ，锗二极管是０.４ｖ，这个电压叫开启电压，小于这个电压叫死区电压。 现在你会自己分析了吧。搞懂了原理，一切就简单了。你自然就会自己分析了。