vdmos功率晶体管最新发展
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1 VDMOS和IGB’i、 VDMOS和IGBT是八十年代迅速发嶷起来的新型功率器件,在电琏可控下工作。 iql是VDMOS功率品俸音的结构图。这种结卡句的特点是在n’衬底的n一高阻层的(100)品Ⅲ上,先岳进行p型本体区和n’型源区两次(双)扩敞。扩散在同一窗口处进行,这样可以利用在硅片表面
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BDTJ199104004.htm