SiO2和Si3N4绝缘性能比较

SiO2和Si3N4绝缘性能比较

禁带宽度SiO2:8.9eV, Si3N4:5.1eV。
介电常数SiO2:3.9, Si3N4:7.0

传统工艺一般采用SiO2做阻挡层，但当其厚度减小时，漏电流增大，并出现杂质扩散现象，影响器件性能。

在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高，实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级，但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.

补充解释：这可能是与薄膜质量有关，生长Si3N4薄膜的时候，生长条件对薄膜质量影响很大，可以调整工艺试试。如果实验数据SiO2绝缘性能好，那也可以选用SiO2，一切应以实验数据为准。