怎样缩颈?怎样放肩？

怎样缩颈?怎样放肩？

种晶完成后就可以开始缩颈。缩颈是指开始拉晶时，先拉出一段比籽晶还细的部分。由于籽晶与多晶硅熔液接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这柙位错必须利用缩颈生长使之消失。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（一般可小到4〜6mm，但一定要能够保证其吊拉强度）。由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。缩颈时，要稍稍提高温度并将籽晶快速提升，这样就可以缩小结晶直径。缩颈时要仔细观察，要根据籽晶与多晶硅熔液交界处的光圈形状和直径变化来控制温度。缩颈时，光圈应始终都保持是一个整圆形。缩颈到所要求的长度后，就可以放肩了。籽晶和缩颈的晶体直径太细，拉出的单晶硅直径就会很小，无法使用。因此要降温、降速使晶体逐渐长大到所需要的直径，这一过程称为“放肩”。随着晶体的逐渐长大，单晶硅的外部特征也就越来越明显。这时就可以根据晶体的外部特征来判断是否是单晶。对晶向的单晶硅应有对称的三棱三面。对100晶向的单晶硅应有对称的四棱。如没有对称的棱角，或虽有棱、面，但数目不对，或棱、面的位K不对称，则说明不是单晶或不是所要求的晶向单晶。放肩时温度的高低，拉速的快慢，要影响放肩时间的长短。在真空下拉制N型高阻单晶硅，从全熔到放肩完的时间越长，N型杂质的挥发就越大，P型杂质的沾污也就越厉害，由于杂质补偿，电阻率也就越高，甚至会转变为P型。因此，每次拉晶时，如果放肩时间不同，电阻率就很难控制。这就要求在每次拉晶时，从全熔到放肩完的时间。