单片机c语言带参数延时怎么写？

下面这段是不带参数的，怎么改带参数的20MS延时？
void Delay10ms() //@12.000MHz
{
unsigned char i, j;

i = 117;
j = 184;
do
{
while (--j);
} while (--i);
}

可以改for语句延时吗？

12MHz的晶振，一个机器周期是1uS. 

void Delay_ms(unsigned char i, unsigned char j) //@12.000MHz
{
     unsigned char n = 0;
     unsigned char m = 0;
     for(n = 0; n < i; n++)
         for(m = 0; m < j; m++);
}

然后调用：
Delay_ms（117， 184）；//Delay 20 mS
117 × 184 = 21528， 约等于 20mS.
这样很不准确，实际计算指令周期的话，接近了40mS
下面这中方法能准确一些：
void Delay_ms(uchar count)
{
    uchar i, j, k;
    for(k = count; k > 0; k--)
    for(i=5; i>0; i--)
    for(j=98; j>0; j--);
}

在循环里判断是否满足跳出的条件，满足则跳出循环，不满足就继续延时直到延时结束。 具体的条件要有程序的要求来，比如说某个io口的电平的状态。 sbit state=p1^7; delay(uint) { uint x,y; for(x=1000;x>0;x--) for(y=1200;y>0;y--) { if(state==1) return ;//当p1.7口为高时跳出循环 } } //由于加入了一条语句，延时要重新计算