三极管临界饱和与深度饱和问题

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解决时间 2021-03-27 03:05

提问者网友：無理詩人
2021-03-26 03:32

三极管临界饱和与深度饱和问题

最佳答案

五星知识达人网友：上分大魔王
2021-03-26 04:43

临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.
计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件参数选择是否合适,是否会让管子进入饱和.也就是,保证管子不饱和的上限值.则不难理解计算饱和的电流是取UCES=0.3V(硅).

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1楼网友：由着我着迷
2021-03-26 05:22

问得好，我也奇怪呢。是数字电路第二章的吧。

2楼网友：我住北渡口
2021-03-26 05:00

对于单一的硅管来讲，三极管临界饱和的正确条件应该就应该是Vce=Vbe=0.7V，也就是说三极管的集电结Vcb=0V；当Vcb>0V时，说明三极管集电结反偏，三极管处于放大状态；而当Vcb<0V时，说明三极管集电结正偏（Vbc<=Vbe=0.7V），三极管处于饱和导通状态；三极管饱和导通的深度取决于集电极电阻或基极电阻的大小，集电极电阻越大或基极电阻越小，三极管的饱和导通深度就越深，三极管完全深度饱和的条件是Vbc=Vbe=0.7V，也就是Vce=0

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