电磁炉IGBT是什么管啊?
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解决时间 2021-04-27 08:53
- 提问者网友:人傍凄凉立暮秋
- 2021-04-26 12:04
电磁炉IGBT是什么管啊?
最佳答案
- 五星知识达人网友:像个废品
- 2021-04-26 13:33
绝缘栅双极型功率管
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 igbt是vmos和bjt组成,vmos是V型场效应管,电压驱动器件,输入阻抗高,但是输入电容大, igbt是voms在前,bjt在后,好处是在高压大电流应用的时候,后级的bjt压降小,导通电阻的,效率高,而前级由于使用vmos所以驱动功耗小,不过需要注意的是igbt的速度比普通的vmos和bjt都慢。^_^
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 igbt是vmos和bjt组成,vmos是V型场效应管,电压驱动器件,输入阻抗高,但是输入电容大, igbt是voms在前,bjt在后,好处是在高压大电流应用的时候,后级的bjt压降小,导通电阻的,效率高,而前级由于使用vmos所以驱动功耗小,不过需要注意的是igbt的速度比普通的vmos和bjt都慢。^_^
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- 1楼网友:神也偏爱
- 2021-04-26 15:12
igbt 用双极电子管的特质,电阻小,并且用绝缘闸来提高耐压,适合大功率用途。
- 2楼网友:孤独入客枕
- 2021-04-26 15:03
就是电磁炉里面的铜啊
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