求TC442工作原理内部电路图分析下

求TC442工作原理内部电路图分析下

9A高速MOSFET驱动器

TC4421/TC4422是强电流缓冲器/驱动器，能够驱动大功率MOSFET和IGBT。
这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况都不会使它们闭锁。当接地端的地弹反射（GroundBounce）小于等于5V的情况下，这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流，而不会造成器件损坏或逻辑混乱。此外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4kV的静电放电。
TC4421/TC4422的输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢升高或降低的波形来驱动器件。
TC4421/TC4422系列的9A MOSFET驱动器采用表面贴装和过孔封装形式，并且有4种工作温度范围可供选择，适用于大多数需要很高的门/线容性驱动的应用。
控制输入：MOSFET驱动器输入是高阻态TTL/CMOS兼容的输入。其输入端在高低阈值之间有300mV的迟滞电压，这样即便输入信号上升或下降得很慢也不会出现输出毛刺。
输出：MOSFET驱动器输出为低阻态的CMOS推挽式输出，能够用9.0A的峰值电流驱动容性负载。MOSFET驱动器输出端可以承受任何极性的1.5A反向峰值电流。
对于型号TC4421中间加了一级反相器，对于型号中间为直通（正向、无反向器），输入端的稳压管和二极管串联电路为输入过电压保护。
追问这个我知道我要的是分析原理追答这个已经很简单了，还要怎么分析，只要会应用就可以了，TC4421的输出是反向驱动器、TC4422输出是正向驱动器，输出是MOSFET驱动器输出，为低阻态的CMOS推挽式输出。输入是高阻输入。

这个真的是不知道了。

内部逻辑变化：左边N-MOS是个反相器，“300mV”标志下面是个延迟反相，最右边MOS对管输入端又有一个反相器。从芯片输入电平到右边MOS对管输入端逻辑变化为：反相->反相->反相，总体相当于内部一个反相器；对TC4421又多了个反相器，相当于内部4个反相，总体相当于没反相；

TC4422：
输入高电平：右边MOS对管输入端为低电平，上面P-MOS导通，下面N-MOS截止，输出高电平；
输入低电平：右边MOS对管输入端为高电平，上面P-MOS截止，下面N-MOS导通，输出低电平；
总体看，TC4422输出端与输入端同相；

TC4421：
输入高电平：右边MOS对管输入端为高电平，上面P-MOS截止，下面N-MOS导通，输出低电平；
输入低电平：右边MOS对管输入端为低电平，上面P-MOS导通，下面N-MOS截止，输出高电平；
总体看，TC4422输出端与输入端反相；