IGBT导通条件是什么?
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解决时间 2021-11-26 02:27
- 提问者网友:王者佥
- 2021-11-25 19:00
IGBT导通条件是什么?
最佳答案
- 五星知识达人网友:妄饮晩冬酒
- 2021-11-25 19:30
IGBT是场控器件,它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定,当uGE为正,且大于开启电压UGE(th)时,IGBT就可以导通;当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时,IGBT就被关断。追问请问你知道GTR和MOSFET的导通条件吗?追答GTR的导通条件和普通三极管一样,也是使发射结正偏,集电结反偏。
Power MOSFET(N沟道)的导通条件是在栅极和源极之间加正向电压,并且使电压值大于开启电压Ut(一般是2~4V),电压超过Ut越多,导电能力越强。追问谢谢!
Power MOSFET(N沟道)的导通条件是在栅极和源极之间加正向电压,并且使电压值大于开启电压Ut(一般是2~4V),电压超过Ut越多,导电能力越强。追问谢谢!
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