以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？
答案:2 悬赏:40 手机版
解决时间 2021-01-27 18:16
- 提问者网友：辞取
- 2021-01-26 21:00
以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？
最佳答案
- 五星知识达人网友：十年萤火照君眠
- 2021-01-26 22:01
参考答案: 由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基区的厚度太大，使得电流增益变小 集成电路的串联电阻很大，影响器件性能 NPN管和CMOS管共衬底，使得NPN管只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用
试题难度：★★☆
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试题难度：★★☆
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- 1楼网友：撞了怀
- 2021-01-26 23:28
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