IR2110怎么使用MOS半桥式驱动？

IR2110怎么使用MOS半桥式驱动？

Hin与Lin是互为反相的逻辑信号，最高电平=逻辑电路的电源值 VDD（9脚）；
当Hin为高电平时输出端Ho也为高电平，反之，Ho为低电平；
可以连接到单片机上，Hin与Lin要同时连接，记住他们是互为反相的逻辑信号。
com接地，高端输出搭配了自举电路，可以驱动高端MOS。需带一定负载才能给自举电容充电。记得设置死区。

IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。
具有独立的低端和高端输入通道；
悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V 下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；
逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS 电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V 的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns 和94ns。