nor flash 和nand flash 的区别

nor flash 和nand flash 的区别

nand = not and
是一种万能逻辑表达级可以用nor 或 nand 一种来表示 and,or,not,xor。
估计真正存储的时候是用到一些逻辑转换的

一、nand flash和nor flash的性能比较 1、nor的读速度比nand稍快一些。 2、nand的写入速度比nor快很多。 3、nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。 4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5、nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 二、nand flash和nor flash的接口差别 nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。nand读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 三、nand flash和nor flash的容量和成本 nand flash的单元尺寸几乎是nor器件的一半，由于生产过程更为简单，nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 四、nand flash和nor flash的可靠性和耐用性 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展mtbf的系统来说，flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的可靠性。 五、nand flash和nor flash的寿命(耐用性) 在nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。 六、位交换 所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，nand发生的次数要比nor多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题更多见于nand闪存，nand的供应商建议使用nand闪存的时候，同时使用 七、edc/ecc算法 这个问题对于用nand存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用edc/ecc系统以确保可靠性。 八、坏块处理 nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。 nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。 九、易于使用 可以非常直接地使用基于nor的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。 由于需要i/o接口，nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。在使用nand器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向nand器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在nand器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 十、软件支持 当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。 在nor器件上运行代码不需要任何的软件支持，在nand器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(mtd)，nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。 使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些，许多厂商都提供用于nor器件的更高级软件，这其中包括m-system的trueffs驱动，该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。 驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。