内存时序是什么意思

内存时序是什么意思

问题一：谁解释一下内存时序是什么 FSB：DRAM 是CPU外频与内存单向运行频率的比值
内存时序是一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。问题二：什么是内存时序 内存时序设置详解 问题三：什么是内存时序 内存时序设置详解 CASLatency Control（TCL）
Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5
这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如[email protected]，表示cl为3。通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。问题四：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。
所以这个值是越小越好。
你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存
1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)，
所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能问题五：内存时序的参数简介 上面的表格展示的是一次普通的DRAM存储周期。首先，行地址信息会被送到DRAM中，经历了tRCD这段时间之后，行地址已经进行了“选通”。由于现今的存储器一般是SDRAM，我们可以一次多多个列提取信息，而每一次读取需要tCAS(R)这么多的时间。当列操作结束时，DRAM需要tRP这么多的时间进行预充电，以便为下一次存取操作做准备。而一般来说，tRAS > tRCD + tCAS + 2，这是因为需要留足够的时间给存取的数据去“流动”。经过这样的了解，我们可以通俗的理解这几个参数：tCAS：列寻址所需要的时钟周期（周期的数量表示延迟的长短）tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值tRP：在下一个存储周期到来前，预充电需要的时钟周期tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Manual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。大部分主板都会自动设置这个参数。该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。CAS Latency Control(tCL)可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRP(Row Precharge)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe)开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后行列转换tRCD(RAS to......余下全文>>问题六：内存时序底有什么作用 可以理解为内存时序数值越小内存的速度就越快
但是内存频率越高的话内存时序也相应升高，1600MHZ的内存这个时序是正常的
超内存的话不紧可以提高频率，也可以通过更改时序来提高内存速度
但是时序的时间越小，内存越不稳定。相反越稳定
这个网站你去看看 什么都清楚了
不用改 改到777 21也没多大效果的 那个速度只有软件才测的出来人是感觉不到的问题七：内存时序高好还是低好 相同频率的内存，时序越低越好。
时序里的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11个时钟，在1600Mhz的内存里默认时序是11-11-11， 1333Mhz默认是9-9-9.
所以1600Mhz的内存，时序9-9-9的比1600Mhz 11-11-11时序的内存要快谢谢。
常见的超频，除了改频率1333 到 1600Mhz, 高手还会改时序问题八：内存条怎么选择 时序怎么看的 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的......余下全文>>问题九：内存时序是什么意思，为什么有的是三个一串，有的是四个一串， 一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay丁tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。理论上越低越好问题十：谁解释一下内存时序是什么 FSB：DRAM 是CPU外频与内存单向运行频率的比值
内存时序是一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。