双极晶体管有什么缺点

双极晶体管有什么缺点

问题一：BJT双极结型晶体管的优缺点 优点：
1、电流控制器件，电流电压放大能力强；
2、电路多样，且参考资料多，电路形式非常灵活，适应性强；
3、成本低，购买方便。
缺点：
1、受温度影响大，热稳定性比较差；
2、功耗大。问题二：双极性晶体管的发展应用 1947年12月，贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·豪泽·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管。1948年，肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管。在其后的大约三十年时间内，这种器件是制造分立元件电路和集成电路的不二选择。早期的晶体管是由锗制造的。在1950年代和1960年代，锗晶体管的使用多于硅晶体管。相对于硅晶体管，锗晶体管的截止电压更小，通常约0.2伏特，这使得锗晶体管适用于某些应用场合。在晶体管的早期历史中，曾有多种双极性晶体管的制造方法被开发出来。锗晶体管的一个主要缺点是它容易产生热失控。由于锗的禁带宽度较窄，并且要稳定工作则要求的温度相对硅半导体更严，因此大多数现代的双极性晶体管是由硅制造的。采用硅材料的另一个重要原因是硅在地球上的储量比锗丰富得多（仅次于氧）。后来，人们也开始使用以砷化镓为代表的化合物来制造半导体晶体管。砷化镓的电子迁移率为硅的5倍，用它制造的晶体管能够达到较高的工作频率。此外，砷化镓热导率较低，有利于高温下进行的加工。化合物晶体管通常可以应用于高速器件。双极性晶体管能够提供信号放大，它在功率控制、模拟信号处理等领域有所应用。此外，由于基极-发射极偏置电压与温度、电流的关系已知，双极性晶体管还可以被用来测量温度。根据基极-发射极电压与基极-发射极和集电极-发射极电流的对数关系，双极性晶体管也能被用来计算对数或求自然对数的幂指数。随着人们对于能源问题的认识不断加深，场效应管（如CMOS）技术凭借更低的功耗，在数字集成电路中逐渐成为主流，双极性晶体管在集成电路中的使用由此逐渐变少。但是应当看到，即使在现代的集成电路中，双极性晶体管依然是一种重要的器件，市场上仍有大量种类齐全、价格低廉的晶体管产品可供选择。与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET，它是场效应管的一种，另一种为结型场效应管）相比，双极性晶体管能提供较高的跨导和输出电阻，并具有高速、耐久的特性，在功率控制方面能力突出。因此，双极性晶体管依旧是组成模拟电路，尤其是甚高频应用电路（如无线通信系统中的射频电路）的重要配件。双极性晶体管可以通过BiCMOS技术与和MOSFET制作在一块集成电路上，这样就可以充分利用两者的优点（如双极性晶体管的电流放大能力和场效应管的低功耗特点）问题三：请问双极晶体管跟三极管有什么区别？？ 双极晶体管比三极管多一个栅极，称为双极晶体管，也称为双栅极场效应管，多用在高频放大电路中，一个栅极用于信号输入，另一个栅极用于增益控制。问题四：比较场效应管与双极型晶体管的特点 场效应管是利用栅极电场的作用来工作的；是一种载流子——多数载流子工作的器件；在电流的主要通路（沟道）上不存在pn结；输入电阻接近无穷大；输入端不需要电流驱动，只需要电压即可，即是电压驱动的器件，输入回路简单等。
双极型管是利用pn结注入载流子来工作的；是两种载流子（多数载流子和少骇载流子）参与工作的器件；是由两个背靠背连接的pn结构成的；输入电阻很小；输入端需要有电流才能工作，是电流驱动的器件等。
详见[email protected]/中的有关说明。问题五：什么叫双极性晶体管与单极性晶体管有什么区别? 双极性晶体管（又称双极性三极管，Bipolar Junction Transistor）根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个P-N结。可分成PNP Image:BJT symbol PNP.png和 NPN Imag处:BJT symbol NPN.svg 两大类。
www.ed-china.com/...OT.HTM问题六：双极型集成电路与晶体管工艺相比有何特点 这个问题很大，简单说几点吧。 1、双极型晶体管与单极型晶体管（MOS管是其中一种）放大器的输入电阻差别很大，后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流，而后者对偏置电流的要求较低。因此，单极型晶体管电路特别适合对输出电阻很大的信号源的输出信号放大，比如无线麦克风里面，大量使用以单极型晶体管为输入端的放大电路。 2、从放大倍数来看，双极型晶体管组成的放大电路占优势，放大倍数大对于后期引入负反馈也比较有利。 3、如果你放大的是音频这种对频率响应要求很高的信号，最好使用双极型晶体管，因为它的声音听起来比较自然，单极型晶体管的频率响应要比双极型晶体管差一些，有点重金属效果，用它来听轻音乐什么就太什么了。 4、在使用中，如果输出电流很大，最好使用单极型晶体管，因为它有一种自我保护的特点，即电流增大、温度升高后，D-S之间的通态电阻会增大，这样就会限制漏源电流，达到一种热保护的效果。而晶体管的特点刚好相反，温度升高后，集电极电流更大。以前我的老师就说过，同样一个电路，如果晶体管烫得连手都捏不住了，三极管往往撑不了30秒，而MOS管也许工作得还好好的。问题七：场效应管和三极管比较各有什么优缺点 1、场效应管是另一种半导体放大器件。在场效应管中只是多子参与导电，故称为单极型三极管；而普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管。由于少数载流子的浓度易受温度的影响，因此，在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。
2．双极型三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达10^9～10^14Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。
3．场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比双极型三极管强。
4 场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。问题八：什么是单极型晶体管和双极型晶体管？ 一、单极型晶体管
单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点：
输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 1015 Ω。
噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类：
根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。 二、双极型晶体管
双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。 特点：
三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。 分类：
根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。
硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。问题九：43、与双极型相比,MOS电路的主要优点是 ,所以 ,主要缺点是 优点：MOS管电路体积小，重量轻，寿命长，输入电阻大，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，比三极管省电，电路效率高。控制时采用电压控制，非常方便。
缺点：特别怕静电；单管放大能力不偿晶体管；PMOS管和结型需要使用负电压控制，使用不方便，且型号少，选择余地小；另外，大部分工程师在学习模拟电路的时候，都是以三极管电路为对象，对MOS管了解少，使用技巧和经验积累严重不足。问题十：功率MOSFET与双极性晶体管的性能比较及优势，谢谢 见“[email protected]/”中的有关说明。