在ICC AVR 怎样设置熔丝位

我想设置成使用内部振荡器

ICCAVR中不能设置熔丝位，包括你写程序时用application builder设定的那个时钟，其实也没有真的改时钟。
用ICCAVR一般要配合一个仿真软件使用，比如AVRstudio 。不过设置的时候一定小心。
如果不仿真的话，也可以用ISP下载软件，这些软件的熔丝位设置非常人性化，都是有汉语向导的，我一般都用这个。

默认4m

具体数值在数据手册里有说，不过默认就是内部1M的时钟！！！ 如果真想调的话，可以在你的烧写软件里调，选择好avr型号后，会有调节熔丝的界面，具体看数据手册吧，下面的东西我没给你发图，他麻烦了，你试试看吧~~~~~·· 标定的片内RC振荡器 标定的片内RC振荡器提供了固定的1.0、2.0、4.0 或8.0MHz的时钟。这些频率都是5V、 25°C下的标称数值。这个时钟也可以作为系统时钟，只要对熔丝位CKSEL进行编程即可。选择这个时钟(此时不能对CKOPT进行编程)之后就无需外部器件了。 标定的片内RC振荡器的工作模式通过熔丝位CKSEL3..0来选择： 注：(1)出厂时的设置。 标定的片内RC振荡器的启动时间通过熔丝位SUT1..0来选择： 注：XTAL1和XTAL2要保持为空(NC)。 (1)出厂时的设置。 振荡器标定寄存器 OSCCAL=CAL7 CAL6 CAL5 CAL4 CAL3 CAL2 CAL1 CAL0 CAL7~ CAL0：将标定数据写入这个地址可以对内部振荡器进行调节以消除由于生产工艺所带来的振荡器频率偏差。复位时1MHz的标定数据( 标识数据的高字节，地址为0x00) 自动加载到OSCCAL寄存器。如果需要内部RC振荡器工作于其他频率，标定数据必须人工加载：首先通过编程器读取标识数据，然后将标定数据保存到Flash或EEPROM之中。这些数据可以通过软件读取，然后加载到OSCCAL寄存器。当OSCCAL为零时振荡器以最低频率工作。当对其写如不为零的数据时内部振荡器的频率将增长。写入0xFF 即得到最高频率。标定的振荡器用来为访问EEPROM和Flash定时。有写EEPROM和Flash的操作时不要将频率标定到超过标称频率的10%，否则写操作有可能失败。要注意振荡器只对1.0、2.0、4.0 和8.0 MHz 这四种频率进行了标定，其他频率则无法保证。 内部RC振荡器的频率范围

On-Chip Debug Enabled 片内 调试 使能 JTAG Interface Enabled JTAG 接口 使能 Serial program downloading (SPI) enabled 串行编程下载(SPI) 使能 (ISP下载时该位不能修改) Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; 芯片擦除时EEPROM的内容保留 Boot Flash section size=xxxx words 引导(Boot)区大小为xxx个词 Boot start address=$yyyy; 引导(Boot)区开始地址为 $yyyy Boot Reset vector Enabled 引导(Boot)、复位 向量 使能 Brown-out detection level at VCC=xxxx V; 掉电检测的电平为 VCC=xxxx 伏 Brown-out detection enabled; 掉电检测使能 Start-up time: xxx CK + yy ms 启动时间 xxx 个时钟周期 + yy 毫秒 Ext. Clock; 外部时钟 Int. RC Osc. 内部 RC(阻容) 振荡器 Ext. RC Osc. 外部 RC(阻容) 振荡器 Ext. Low-Freq. Crystal; 外部 低频 晶体 Ext. Crystal/Resonator Low Freq 外部晶体/陶瓷振荡器 低频 Ext. Crystal/Resonator Medium Freq 外部晶体/陶瓷振荡器 中频 Ext. Crystal/Resonator High Freq 外部晶体/陶瓷振荡器 高频 比如想使用片内的RC振荡(即不需要接晶振)，可以选择选择下面三者之一： Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms; [CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms; [CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]