光耦可控硅与固态继电器有何区别？

光耦可控硅与固态继电器有何区别？

1、性能特点：
光耦可控硅：电压低，电流低，速度快，封装小。
固态继电器：电压高，电流高，速度慢，封装大。

2、工作原理：
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向反馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。
状态说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
两者缺一不可
维持导通
1、阳极电位高于阴极电位
2、阳极电流大于维持电流
两者缺一不可
从导通到关
1、阳极电位低于阴极电位
2、阳极电流小于维持电流
任一条件即可

3、基本伏安特性
（1）反向特性
当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性发生了弯曲，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
（2）正向特性
当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，特性发生了弯曲，弯曲处的是UBO叫，正向转折电压
阳极加正向电压
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似

4、触发导通
在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

固态继电器里的器件就是光耦加可控硅追问“可控硅型的光耦”与“固态继电器”的使用原理是一样的吧？

可控硅通过的是数字设备：
电压低
电流低
速度快
封装小

固态继电器是功率设备：
电压高
电流高
速度慢
封装大追问我说的是“光耦可控硅”（可控硅型的光耦）而不是“可控硅”与固态继电器的区别！追答哦，我改改：
可控硅光耦是光耦增加可控硅的特性而制成的数字控制设备：
控制端电压低，电流低，多用于数字系统控制，用光隔离，有光耦的高隔离电压特性。
控制端接通后后级接通，在后级有电流流动时关闭前级后级不截止，直至被控端电流停止恢复直至收到下次前级信号，特性与可控硅相同。

固态继电器是功率设备：
控制端电压较高，电流相对较大，多用于模拟系统控制，无触点电子开关，隔离电压相对较低。
前级电路接通后级接通，前级电路关闭后后级关闭。

在使用中，参数相同可以通用，但是可控硅光耦一般封装较小，固态继电器较大。