一般二极管的耐压是多少？

一般二极管的耐压是多少？

小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。通常正向压降值在1.5 ～ 3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。
　　发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小,所以使用时,为了防止击穿造成发光二极管不发光,在电路中要加接二极管来保护。
　　二极管特性：
　　正向性
　　外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。这个电压叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
　　反向性
　　外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
　　击穿
　　外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

1N5817 20V
1N5818 30V
1N5819 40V

一般二极管的耐压是多少？
这个比较笼统哦，不同型号的二极管相差很大，但可能外观相同。比如：
1N4001 50V
1N4002 100V
1N4003 200V
1N4004 400V
1N4005 600V
1N4006 800V
1N4007 1000V
这些二极管外观完全相同，但是耐压却从50V到1000V，区别巨大。

电子元器件一定要注意型号，否则谬以千里。

这个很难说。因为不同的二极管有不同的参数。

正向导通压降0.7V左右，反向截止可承受100V左右的反压