两个问题：1、H可以作为掺杂杂质注入半导体硅中么？是N型还是P型？2、相关机理是？
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解决时间 2021-03-27 19:40
- 提问者网友：温柔港
- 2021-03-27 15:25
两个问题：1、H可以作为掺杂杂质注入半导体硅中么？是N型还是P型？2、相关机理是？
最佳答案
- 五星知识达人网友：何以畏孤独
- 2021-03-27 16:36
1、不可以。
2、氢一共就一个电子，原子核的力量太强了。
3、从掺杂技术上看，主要是热扩散和注入技术，从工艺角度来看，氢也不适合采用这两种技术。追问1、不可以。---注入的氢可不可以替代si晶格位置，或者说能不能与si原子形成共价键
2、氢一共就一个电子，原子核的力量太强了---你这里说的力量太强是什么意思？成为自由电子需要能量高？如果能与硅产生共价键作用的话，能不能降低束缚？
3、从掺杂技术上看，主要是热扩散和注入技术，从工艺角度来看，氢也不适合采用这两种技术。---注入为什么不适宜呢？注入后通过适当退火是否合适？
2、氢一共就一个电子，原子核的力量太强了。
3、从掺杂技术上看，主要是热扩散和注入技术，从工艺角度来看，氢也不适合采用这两种技术。追问1、不可以。---注入的氢可不可以替代si晶格位置，或者说能不能与si原子形成共价键
2、氢一共就一个电子，原子核的力量太强了---你这里说的力量太强是什么意思？成为自由电子需要能量高？如果能与硅产生共价键作用的话，能不能降低束缚？
3、从掺杂技术上看，主要是热扩散和注入技术，从工艺角度来看，氢也不适合采用这两种技术。---注入为什么不适宜呢？注入后通过适当退火是否合适？
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