怎样对硅平面工艺中的单晶硅片进行清洗，以去除其表面的油脂和金属离子

怎样对硅平面工艺中的单晶硅片进行清洗，以去除其表面的油脂和金属离子

3)设备组成
设备组成：清洗设备主体、移载机械臂、排风系统、电控及操作面板等组成，设备工艺流向采用“右进左出”。
4）工艺流程
a）工艺流程
－＞1# 自动上料
－＞2# 超声碱洗－＞3# 超声碱洗－＞4# QDR清洗
－＞5# 超声漂洗－＞6# 超声漂洗
－＞7# 溢流清洗（DI水）
－＞8# 单晶绒面处理 －＞9# 单晶绒面处理 －＞10# QDR清洗 （DI水）
－＞11# 单晶绒面处理 －＞12# 单晶绒面处理 －＞13# QDR清洗 （DI水）
－＞13#、14# 之间风淋（Air）
－＞14# 溢流清洗（DI水）
－＞14#、15# 之间风淋（Air）
－＞15# 溢流清洗（DI水）
－＞16# HCL处理－＞17# HCL处理
－＞18# QDR清洗 （DI水）－＞19# QDR清洗 （DI水）
－＞20# HF 处理
－＞21# QDR清洗 （DI水）－＞22# 溢流清洗（DI水）－＞23# 溢流清洗（DI水）
－＞24# 自动下料