［有图］闪存 工作原理

［有图］闪存 工作原理

闪存基于MOSFET结构，最上面的粉色是栅极，中间的粉色是浮珊，下面左右上角蓝色电极分别是漏极D、源极S，DS之间就是导电的沟道。
当MOS单元被编程，浮珊极里存储电荷时，MOS管导通，读出数据为0，反之擦除后浮珊没有电荷时，读出数据为1。
第二幅图的意思是给沟道加高压，栅极加0V，这样浮珊里的电子在强电场作用下击穿绝缘移动到沟道里（电子带负电，向电位高的方向移动），就是说浮珊里的电荷被释放掉，进入未编程状态；
第一幅图的意思是给栅极加高压，沟道加0V，这样电子在强电场作用下击穿绝缘进入到浮珊里，称为热电子注入，浮珊带电，成为被编程状态。
因为编程与擦除是击穿浮珊下面绝缘层的过程，所以会损害这个绝缘层的绝缘程度，因此闪存的擦写次数有限制，擦写到达一定次数后，绝缘层漏电劣化，电荷存不住，这个bit也就坏掉了。