掺杂、改变温度、光照激发均能改变半导体材料的电导率，它们之间有何区别？

掺杂、改变温度、光照激发均能改变半导体材料的电导率，它们之间有何区别？

掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大，主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率。只有在重掺杂时才会是迁移率下降，不过载流子浓度增加的更多一些，总体使电导率升高。
温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降，影响电导率。（但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响）
光照激发则是产生光生非平衡载流子，改变载流子浓度产生附加电导。（但其迁移率基本不变）

掺杂：增加浓度；
改变温度：增加本征载流子；
光照激发：产生非平衡载流子，增加载流子数目。