干氧氧化和湿氧氧化的特点

干氧氧化和湿氧氧化的特点

硅热氧化工艺按所用的氧化气氛可分为：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛，在高温下氧直接与硅反应生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化气氛，由硅片表面的硅原子和水分子反应生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化大。而湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。在集成电路工艺中，以加热高纯水作为水蒸汽源，而湿氧氧化则用干燥氧气通过加热的水（常用水温为95）所形成的氧和水汽混合物形成氧化气氛。用高纯氢气和氧气在石英反应管进口处直接合成水蒸汽的方法进行水汽氧化时，通过改变氢气和氧气的比例，可以调节水蒸汽压，减少沾污，有助于提高热生长二氧化硅的质量。