晶体塌陷是怎么回事

晶体塌陷是怎么回事

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晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。只有晶体才是真正的固体。由气相、液相转变成固相时形成晶体，固相之间也可以直接产生转变。 　 　晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：①介质达到过饱和、过冷却阶段；②成核阶段；②生长阶段。 　 　在某种介质体系中，过饱和、过冷却状态的出现，并不意味着整个体系的同时结晶。体系内各处首先出现瞬时的微细结晶粒子。这时由于温度或浓度的局部变化，外部撞击，或一些杂质粒子的影响，都会导致体系中出现局部过饱和度、过冷却度较高的区域，使结晶粒子的大小达到临界值以上。这种形成结晶微粒子的作用称之为成核作用。 　　介质体系内的质点同时进入不稳定状态形成新相，称为均匀成核作用。在体系内的某些局部小区首先形成新相的核，称为不均匀成核作用。均匀成核是指在一个体系内，各处的成核几宰相等，这要克服相当大的表面能位垒，即需要相当大的过冷却度才能成核。 　　 非均匀成核过程是由于体系中已经存在某种不均匀性，例如悬浮的杂质微粒，容器壁上凹凸不平等，它们都有效地降低了表面能成核时的位垒，优先在这些具有不均匀性的地点形成晶核。因之在过冷却度很小时亦能局部地成核。 　　在单位时间内，单位体积中所形成的核的数目称成核速度。它决定于物质的过饱和度或过冷却度。过饱和度和过冷却度越高，成核速度越大。成核速度还与介质的粘度有关，轮度大会阻碍物质的扩散，降低成核速度. 晶核形成后，将进一步成长。　布拉维法则的不足之处是，只考虑了晶体的本身，而忽略了生长晶体的介质条件　位错是晶体中局部滑移区域的边界线，即是晶体中的一种线缺陷；它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质（包括晶体生长）有着严重的影响。通过化学腐蚀可在晶体表面上观察到位错的露头处——腐蚀坑。 　　典型的位错有刃位错(棱位错)和螺旋位错两种。刃位错的位错线方向与滑移方向垂直，而螺旋位错的位错线方向与滑移方向平行。此外，还有所谓位错环，这是在晶体内部的一个环形线，往往是由许多空位的集合——空洞塌陷而成。 　　在Si、Ge中最简单的位错是60o棱位错。因为Si、Ge晶体的最容易的滑移面是(

由于晶体内部晶体结构被破坏，从而导致晶体的总体结构塌陷，形成较小的碎片，这是一个熵（混乱度）变大的过程。