显卡上的晶体管和sp单元是干什么的?
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解决时间 2021-03-07 01:19
- 提问者网友:像風在裏
- 2021-03-06 19:45
显卡上的晶体管和sp单元是干什么的?
最佳答案
- 五星知识达人网友:一袍清酒付
- 2021-03-06 19:56
晶体管应该是分很多种,有二极管,三极管和晶闸管,其中三级管也叫晶体管,但是这里指的应该不是三极管一种,而是指这三种半导体管,其中三极管有放大作用,不过三种管都有可控制通断的作用因此被用于制作逻辑电路,SP单元以我的了解是显卡中的一种对图像的逻辑处理器,又叫流处理器,那么它自然由晶体管组成,我也在学习这里,不知道回答的对不对。请指教
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- 1楼网友:玩家
- 2021-03-06 20:19
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上.SP:Stream Processor。NVIDIA对其统一架构GPU内通用标量着色器的称谓。
Stream Processor(SP)是继Pixel Pipelines和Vertex Pipelines之后新一代的显卡渲染技术指标,Stream Processor既可以完成Vertex Shader运算,也可以完成Pixel Shader运算,而且可以根据需要组成任意VS/PS比例,从而给开发者更广阔的发挥空间。 简而言之,过去按照固定的比例组成的渲染管线/顶点单元渲染模式如今被Stream Processor组成的任意比例渲染管线/顶点单元渲染模式替代,Stream Processor是全新的全能渲染单元
- 2楼网友:老鼠爱大米
- 2021-03-06 20:06
什么是晶体管及其种类与参数?
晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“v”或“vt”(旧文字符号为“q”、“gb”等)表示。
晶体管是内部含有两个pn结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。
一、晶体管的种类
晶体管有多种分类方法。
(一)按半导体材料和极性分类
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗npn型晶体管、锗pnp晶体管、硅npn型晶体管和硅pnp型晶体管。
(二)按结构及制造工艺分类
晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
(三)按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
(四)按工作频率分类
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
(五)按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装(简称金封)晶体管、塑料封装(简称塑封)晶体管、玻璃壳封装(简称玻封)晶体管、表面封装(片状)晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
(六)按功能和用途分类
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。
二、晶体管的主要参数
晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
(一)电流放大系数
电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。
根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
1.直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流ic与基极电流ib的比值,一般用hfe或β表示。
2.交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△ic与基极电流变化量△ib的比值,一般用hfe或β表示。
hfe或β既有区别又关系密切,两个参数值在低频时较接近,在高频时有一些差异。
(二)耗散功率
耗散功率也称集电极最大允许耗散功率pcm,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过pcm值,否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率pcm小于1w的晶体管称为小功率晶体管,pcm等于或大于1w、小于5w的晶体管被称为中功率晶体管,将pcm等于或大于5w的晶体管称为大功率晶体管。
(三)频率特性
晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率ft和最高振荡频率fm等。
1.特征频率ft 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率ft小于或等于3mhz的晶体管称为低频管,将ft大于或等于30mhz的晶体管称为高频管,将ft大于3mhz、小于30mhz的晶体管称为中频管。
2.最高振荡频率fm 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常,高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率ft则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
(四)集电极最大电流icm
集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流ic超过icm时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。
(五)最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1.集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的最大允许反向电压,一般用vceo或bvceo表示。
2.集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的最大允许反向电压,用vcbo或bvcbo表示。
3.发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极与之间的最大允许反向电压,用vebo或bvebo表示。
(六)反向电流
晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流icbo和集电极—发射极之间的反向击穿电流iceo。
1.集电极—基极之间的反向电流icbo icbo也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。icbo对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。
2.集电极—发射极之间的反向击穿电流iceo iceo是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。
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