1、简述离子掺杂的基本原理?

1、简述离子掺杂的基本原理?

(1)掺杂温度低。离子注入是在高真空中、在室温或低温下进行的，可以避见高温扩散中所引进的热缺陷或基片的热变形。
(2)易于控制杂质的浓度分布知。适当控制注入剂量和能量．可能得到理论设计中所要求的理想杂质分布。
(3)可控性好。掺杂浓度、结深和杂质分布都能技预定的要求通过调节注入离子的束流、能量和注入时间得到精确控制。
(4)侧向扩散小。在热扩散中，窗口边缘处的横向扩展范围基本上等于纵向扩散深度。在离子注入时，道只有当离子质量较轻或入射能员较高时，才有比较明显的侧向扩散，一般悄况下。横向扩展与纵向深度相比是很小的、常常可以忽略，这对提高IC集成密度十分重要。
(5)具有“直接写入”功能，可以不回要掩模。低温掺杂和“直接写入”是离子注入技术与激光掺杂技术所共有的优势。与激光掺杂技术相比，离子注入掺杂技术还存在一定的缺点。离子注入掺杂的最大缺点是离子注入时会在晶体内产生大量的晶格缺陷，虽然这些缺陷的大部分可以通过答退火来消除，但残留的二次缺陷和晶格畸变往往会给器件的电特性带来很坏的影响。此外，离子注入设备庞大、复杂、价格高昂，这也在一定程度上绍其应用带来限制或困难。