请教用于IGBT驱动的推挽电路，三极管和MOSFET的选择

请教用于IGBT驱动的推挽电路，三极管和MOSFET的选择

如果这里不是推挽的话，估计IGBT用不了多久就炸了。如果感兴趣可以照此搭个电路一试便知！原因：因为IGBT结电容的原因，单位时间内驱动IGBT的上升沿与下降沿越陡越好（也叫压摆率），太平缓，工作在放大区时间太长，散耗在IGBT的功率越大，温度很快就飙上去了。会炸管。