为什么在用四探针检测Al掺杂的ZnO薄膜样品的电阻时会出现电流不断衰减的情况？（如图）

为什么在用四探针检测Al掺杂的ZnO薄膜样品的电阻时会出现电流不断衰减的情况？（如图）

你做的薄膜每层膜厚多少？一层的样品都测不出来么？初始电流达到4.532μA是对样品厚度远小于二分之探针间距的薄膜样品的修正值，如果超过这个限制，这个修正值也就没有意义了。

另外探针法测量电阻需要探针到样品边界的距离远大于探针间距，你做的样品几何尺寸有多大呢?

你应该的做法：可以找一个标准薄膜来校正初始的4.532μA电流，如果始终无法到达这个电流，说明检测设备有故障，请先检修机器，再确定你做的样品几何尺寸是否合适。另外我对溶胶-凝胶法制备薄膜不是很了解，你做这么多层薄膜可能会产生很强的表面态，或者每层的掺杂程度不一样都会导致形成高低结，都会产生电容的整流效应，造成电流的变化，请从工艺水平上去分析。另外探针和样品接触后是否有一定的压力，样品是否清洁都可能导致示数的较大变化，也需要注意。

如果还不能排除原因请换更先进的四探针设备或者使用扩展电阻测试系统。

相关资料请参考杨德仁著半导体材料测试与分析。讲测试的文献还是不多的。追问补充回答你的疑问：1.每层薄膜的预期目标是几十纳米的厚度，但由于实验仪器的局限，不可能达到，估计厚度可能在微米量级。2.样品的几何尺寸是一个载玻片的大小。3.我的1-9层膜都测不出电阻，所有的情况都是如图的那样，根本无法稳定在4.532μA那里。4.我在补充说明里提到，我的Al掺杂ZnO薄膜虽然不能测出电阻，但用一个精密加工的铜片镀膜载玻片可以测出电阻，而且很精确。个人的看法和你大致相同，问题出在我镀膜的样品上。追答你的薄膜目标厚度是几十纳米，结果做成微米量级，这差距可有点大呀。

尺寸应该不是问题了。

我建议你先做一层试试，能做出符合要求的再做两层的，然后再多层的，这个过程肯定要注意很多因素，要先想到呀。追问我前面说过我镀膜的样品分为1、3、5、7、9层，分为A、B两组，共10个样品。也就是说，1层和多层都已经试过，层数越多初始显示的电流越小，后面电流呈现无限衰减的情况