SLC，MLC和TLC芯片三者的区别

SLC，MLC和TLC芯片三者的区别

SLC、MLC和TLC
　　X3（3-bit-per-cell）架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC（Single-Level Cell），原理是在1个存储器储存单元（cell）中存放1位元（bit）的资料，直到MLC（Multi-Level Cell）技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
　　2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。
　　如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝（Toshiba）引发战火，之后三星电子（Samsung Electronics）也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
　　TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

slc/mlc/tlc的区别：就是一份晶体管资源，存放单份数据、双份数据、还是三分数据的区别。 三者成本：4：2：1。 三者寿命：100：10：1。 三者写入速度：4：2：1。 三者写入延迟：1：2：4。 除了价格外，都是slc最好、mlc适中、tlc渣渣。