如图，能简则简，谢谢

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采用不同的掺杂工艺，通过扩散，将p型n型两种半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面形成的空间电荷区追问我是说从微观上解释一下他的形成原理追答介绍PN结的形成时，会提到两种运动——扩散运动和漂移运动。前者是由载流子浓度差引起的，后者是在内建电场作用下所产生的。扩散运动的结果是在PN交界的两侧形成了空间电荷区，这个区域一边带正电荷，另一边带负电荷，而且扩散越强，空间电荷区越宽。介绍到这时，教师应给学生强调两点：一是整个半导体还是电中性的，因为空间电荷区正负电荷的总量彼此相等；二是由于物质结构的关系，这些电荷是不能任意移动的，因此并不参与导电。出现了空间电荷区后，由于正负电荷之间的相互作用，在电荷区中就形成了内建电场。内建电场的方向与扩散运动的方向相反，它将电子从P区拉回，将空穴从N区拉回，这就产生了漂移运动。漂移运动的结果使空间电荷区变窄，其作用正好与扩散运动相反。当达到平衡时，总的效果就是两种作用互相抵消，所以载流子的扩散运动与漂移运动是矛盾着的双方，PN结就是这一矛盾的统一体。由于内建电场的存在， N区的电势比P区高，这个电势差称为内建电势差或结电压，一般只有零点几伏。电势差不能用电表测量出来