对于N沟道增强型MOS管而言，为何漏源电压增大到一定反型层会消失？此时栅极和衬底间不是仍然有一个正压吗

对于N沟道增强型MOS管而言，为何漏源电压增大到一定反型层会消失？此时栅极和衬底间不是仍然有一个正压吗

漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。但如果UDS继续上升，空间电荷区继续扩张，会逐步挤占反型层的空间，直到反型层（其实反型层也是沟道的一部分）全部被挤占完毕，如果UDS继续上升，则会出现击穿，MOSFET就损坏了。