SIMM和DIMM有什么区别

SIMM和DIMM有什么区别

Single-In-line-Memory-Modules,是我们经常用到的一种内存插槽，它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片颗粒集成在一小块电路板上，然后通过SIMM插槽与主板相连。
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　　SIMM(single in-line memory module)
　　单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM 都装配在SIMM 里。
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　　SIMM内存
　　SIMM (single in-line memory module)
　　单内置内存模型
　　SIMM就是一个模块，它包括了一个或多个RAM芯片，这些芯片在一块小的集成电路板上，板上有引脚可以和计算机主板相连。因为计算机使用的内存越多，对其它设备的访问就越少，可以提高计算机的性能，因此用户需要对内存进行扩展时只需要加入一些新的SIMM就可以了，十分方便。SIMM通常有32个数据位（36位时有4位用做校验位），这就要求有72个引脚。SIMM的大小通常以4M的倍数出现。在SIMM上的内存通常为动态RAM，也使用同步DRAM，因为同步DRAM提供64位数据位，因此要两个SIMM，这就形成了DIMM。
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　　术语解释
　　SIMM（Single Inline Memory Module，单列直插内存模块）
　　内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDD DRAM，最初一次只能传输8bit数据，后来逐渐发展出16bit、32bit的SIMM模组，其中8bit和16bitSIMM使用30pin接口，32bit的则使用72pin接口。在内存发展进入SDRAM时代后，SIMM逐渐被DIMM技术取代。 DIMM简介Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言，适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V（使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外），适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V（使用EDORAM或FBRAM内存芯片），二者不能混合使用。 [编辑本段]DIMM与SIMM比较 DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。 [编辑本段]SO-DIMM 为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。 [编辑本段]FB-DIMM
　　因为目前的内存主要是采用传统的64位并行设计，即北桥芯片的内存控制器与内存模块之间均通过64位的并行总线来数据交换，但此类并行总线设计有一个最大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为目前的DIMM采用一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构。
　　在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。这也是目前基于此类并行体系的内存如DDR频率低下的原因。
　　Small Outline Dual Inline Memory Module(缩写SODIMM):小外形双列直插式内存模块

现在用的内存就是DIMM内存，SIMM早已被淘汰

说得简单点：9x年时老机器常用的EDO内存就是SIMM类型。后来的SD、DDR内存都是DIMM类型。