不同占空比下MOS的发热工号问题请教谢谢了，大神帮忙啊
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解决时间 2021-12-28 18:03
- 提问者网友：听门外雪花风
- 2021-12-28 15:14
现有实验表明mos在20%占空比和80%占空比下的发热完全不一样，在20时发热很严重远远高于80.试验的模型是全桥驱动电路，上桥PWM斩波，下桥恒通恒关控制驱动电机。为什么20时候发热严重？还有是不是MOS的开关损耗要大于导通损耗？请教各位高手。
最佳答案
- 五星知识达人网友：患得患失的劫
- 2021-12-28 15:59
空载时，也是如此吗？开关频率很高吗？若是，则应分解出开关频率造成的损耗量；电流流过电阻产生损耗；导通时，电流大但电阻极小；关断时电阻极大，但若漏电流大，是否会造成较大的发热（损耗）呢？我的猜测：mos管品质或栅极驱动有问题……
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- 1楼网友：低血压的长颈鹿
- 2021-12-28 16:37
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了
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