晶片电阻的制作方法你能顺便给我讲一下吗？

晶片电阻的制作方法你能顺便给我讲一下吗？

目前的晶片电阻已发展至最小尺寸可达1.0 x 0.5mm，且可以制成2~8颗电阻并排成一颗之排阻(resistor array)，不但使电路板面积大幅缩小，且降低了好几倍元件置放时间。
电阻的制作方法可分为厚膜制程及薄膜制程，
厚膜制程之流程如下图1所示：在整个厚膜电阻的制程中，厚膜胶(包括电阻胶及导电胶) 材料为关键技术，因为其特性即决定了电阻的特性。电阻胶的组成是选用低温度系数RuO2为主成份再混合玻璃及高份子载体(vehicle)而组成，而导电胶的成份亦类似，只是RuO2改用电阻率极低的Ag为主。
厚膜胶的制程如图2所示：电阻在使用时，由於会消耗功率而产生热，伴随著电阻体本身含有温度上升的现象。因此，电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance，TCR)便成为电阻稳定性最重要的指标之一，电阻温度系数的计算方式如下：TCR愈低，表示电阻随温度变化愈小，阻值愈稳定，厚膜材料的TCR约为200~300 ppm/k之间(铜约为4000 ppm/k)。由於厚膜胶必须含有一定成份的玻璃，因此TCR的控制相当不容易，目前的厚膜电阻的特性己相当固定，不易有明显的改进空间。相对地，薄膜电阻是利用半导体的原理，以物理的气相沈积技术(Physical Vapour Deposition，PVD)，包括溅镀(sputtering deposition)、蒸镀(evaporation deposition)等方式，将电阻材料被覆於氧化铝基板上，因此材料所选择变得很有弹性，目前常用的NiCr，NiCu，TaN…等材料。由於薄膜制程可获得之材料没有混杂其他如玻璃等杂质，因此TCR可控制在50 ppm/k以下，甚至趋近0 ppm/k。除此之外，由於电阻体可利用黄光微影(lithography)的方式制作不同的线路图案(pattern)，且线径的控制非常精确，因此，阻值范围可以做的很广，且在某些阻值范围甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步骤。薄膜电阻制程之流程图，如图3所示：利用半导体类似等级的设备来生产薄膜电阻，在成品特性拥有许多厚膜可不及的优点，但因为成本仍高，因此未能广泛应用。目前晶片电阻市埸仍由厚膜电阻占绝大部份。最近由於in-line全自动溅镀设备成本大幅降低，加上微影制程改良，薄膜电阻成本在1~2年内将降低至接近厚膜电阻的水准。