欠压保护电路！求解释…………

欠压保护电路！求解释…………

线路错误比较多
1，目的是欠压保护，想必是Q4输出10V电压。作为一个供电源，然当电压低于某一值的时候
而关闭Q4使之没有输出，此线路采用的N沟道增强型MOSFET，正常要VGS要达到2~4V多的时候
才能输出，如果源极输出10V，那么栅极必须要14V左右的电压，哪里来？你VCC只有10V
所以在供电开关使用的时候要选择用PMOSFET（源极接Vcc, 漏极接电源输出，其他不变）
2，如果是PMOSFET，则栅极地电位才会输出，这样反推回去。要想Q4截止，就必须Q3截止，Q2则需要导通，Q1截止，Q1要截止D2就不能导通。
3，Q2的集电极应该是连接到Q2的基极（图纸有错误）
4，所以当电压低于D2的击穿电压，Q1截止，Q2导通，Q3截止，Q4栅极通过R7与源极电位相等，故而截止关闭输出电压，反之导通追问图纸的问题是我的问题，不小心没注意到！不好意思啊！你分析的不错，我也是这么觉得的，但Q2的基极确实接在Q1的基极上的…………！这就是我不明白的原因！谢谢你的回答…………追答仔细看看实物测量辨识，这是我唯一能怀疑的地方追问我想你说的是对的…………！

图可能有错吧。Q1部分。

原理应该是这样：D2在VCC下降到一定程度后达不到稳压值关断，然后Q3导通。Q4栅极无电压而截止。