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为什么硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高

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解决时间 2021-03-24 18:34
为什么硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高
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因为硅的禁带宽度比锗的大,在通常情况下,要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度,所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以,硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。(如果本征载流子浓度接近,或大于杂质电离的载流子浓度时,半导体器件工作就不正常了。)
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